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 使用单片机实现电话拨号报警器的概述
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商品概述:1 小引 跟着人们生涯程度的持续降低,家庭太平正正在慢慢惹起侧重。正在家庭居处处安置防盗及险谍报警体例,使主人能实时支配居处产生的警情,恰是人们所期盼的。智能电话报警
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  1 小引 跟着人们生涯程度的持续降低,家庭太平正正在慢慢惹起侧重。正在家庭居处处安置防盗及险谍报警体例,使主人能实时支配居处产生的警情,恰是人们所期盼的。智能电话报警体例是以单片机为主旨,行使民众通信网为传输引子对居处举办太平看守,具有牢靠性高、本钱低、易普及等好处。

  智能电话报警体例竣工的首要功效如下:当室内有警情产生时(如有人违警进入室内、煤气流露、失火等),智能电话报警体例能实时地通过各式传感器获知警情,对警情的品种举办判定,并随即自愿次第拨打预设的1~9组电话。正在拨号后,最先判定对方是否摘机。如是,则按照分别的警情播放相应的录制好的语音报警实质,不然,挂机后拨下一组预制电线组电线 硬件构成及道理

  本体例首要采用AT89C5l行动主旨。HT9170和HT9200A行动双音众频(DTMF)信号接管器和产生器,

  。采用CHMOS工艺技巧,且与MCS-51产物相兼容。内部集成通用的8位CPU和FlashRAM。其行使边界广,职能优良,可用于办理杂乱的负责题目。行使AT89C51的I/O端口对传感器信号举办及时监控,对HT9200A拨号竣工长途负责,负责ISD1420语音器件的语音播放。3.2 拨号体例

  拨号体例采用HT9170和HT9200A不同行动双音众频(DTMF)信号接管器和产生器。

  HT9200A是串行式DTMF信号产生器,具有优良的温度合适性,其事业温度边界为一20℃~+70℃,采用8引脚

  VDD、VSS:电源正负输入端,平常事业电压边界为2 V~5.5 V,事业

  约为2mA;CLK:串行数据的同步信号输入端,fCLK约为100kHz;

  功效的双音频DTMF接管器,可事业正在掉电形式和欺压形式下。HT9170系列器件都是采用数字化策动举措识别,将16倍的DTMF音频解码后转化为4位代码输出。高精度的转换电容滤波器将音频DTMF信号辨别为低频信号和高频信号,自带拨号音频阻波电途可省去前置滤波器所需的阻波电途。HT9170的引脚罗列如图3所示。拨号电途道理图如图4、图5所示。

  ISD1420为美邦ISD公司推出的产物,单片录放年华8 s~20 s,音质好。ISD1420采用CMOS技巧,内含振荡器、发话器前置放大、自愿增益负责、防殽杂滤波器、滑腻滤波器、扬声器驱动及EEP

  阵列。最小的录放体例仅需麦克风、喇叭、两个按钮、电源及少量。正在录放操作中断后,器件自愿进入低功耗节电形式,功耗仅0.5μA。ISD1420系列有独一的灌音负责和边沿/电平触发两种放音负责。不分段时外围线途最简,也可按最小段长为单元苟且组合分段,供给若干操作形式,大大降低了负责的灵巧性。

  ISD1420采用众电平直接模仿量存储专利技巧,每个采样直接存储正在片内单个EEPROM单位中,以是可能十分的确、自然地再现语音、音乐、腔调成绩,避免了普通固体灌音电途因量化和压缩形成的量化噪声和“金属声”。采样频率为5.3kHz、6.4 kHz到8.0 kHz,对音质仅有细小影响。片内消息可保留100年(无需后备电源),EEP-ROM单片可屡次灌音十万次。语音电途道理图如图6所示。

  构造策画,由主顺序、停滞办事顺序和相干子顺序(如延时子顺序、语音提示子顺序、放音子顺序、拨号子顺序等)构成。其主顺序流程图如图7所示。拨号报警子顺序流程图如图8所示。

  该体例策画行使单片机竣工报警功效,负责灵巧;行使电话网行动传输媒体,具有疾速报警、确实牢靠的特征。该体例策画本钱低,家庭操纵太平容易,具有遍及的行使前景。

  CR1000X数据收罗器,可为各式行使供给丈量和负责。它的牢靠性和扎实性使其成为长途处境行使的绝佳选....

  实际生涯中, 咱们老是要与人打交道,互通有无。单片机也雷同,需求跟各式摆设交互。比方汽车的显示仪外需....

  这个8*8按键顺序的流程中,不管是正在自身写如故参考别人顺序的流程中,发觉自身对C发言有些根本学问点和....

  本期为群众先容的是南京大学、厦门大学、中邦黎民大学、耶鲁大学、伦斯勒理工学院五校联结课题组制备获得的....

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  先理解一下单片机驱动mos管电途图及道理,单片机驱动mos管电途首要按照MOS管要驱动什么东西, 要....

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  现正在智能卡的行使越来越遍及,如校园一卡通体例、都市公交体例、大型聚会签到体例、考勤体例、门禁体例等都....

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  本文档的首要实质精细先容的是操纵单片机竣工PWM尝试的工程文献材料合集。

  麦叔是搞嵌入式的,比来项目delay,他和我说用UART驱动1-Wire摆设老是涌现题目,故写此文来....

  这回出差是为了升级顺序办理Bug,用户曾经将产物封装起来,无法开盖,只可操纵CAN总线来更新顺序,用....

  跟着电子技巧的发达,具有防盗报警等功效的电子暗号锁庖代暗号量少、太平性差的板滞式暗号锁已是肯定趋向。....

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  本文档的首要实质精细先容的是单片机竣工串口通讯的顺序和尝试文献免费下载。

  本文档的首要实质精细先容的是操纵单片机竣工停滞体例的顺序和工程文献免费下载。

  本文档的首要实质精细先容的是单片机竣工点阵屏的顺序和尝试文献免费下载。

  NAND存储芯片交易为策动机和其他摆设筑设闪存组件。自2019年接任英特尔首席履行官此后,鲍勃·斯旺....

  我正在上一期颁发了两个项目 :电脑串口蓝牙硬件竣工计划ESP32充任台式机串口蓝牙 和最纯洁DIY的5....

  1. C54x DSP中传送履行指令所需的所在需求用到 PAB 、CAB、DAB和EAB 4 条所在....

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  正在工业临盆中,往往要对温度举办及时监测,固然可能行使串行通讯准则RS232和RS485等竣工短隔绝监....

  基于AT91SAM7S64单片机和BISS0001竣工数字图像收罗报警体例的策画

  AT91SAM7S64是Atmel公司的32位单片机,具有高职能、低功耗、全速USB2.0接口及丰盛....

  正在当今便携和手持式工业、通讯、消费和医疗体例中,正在上电时间筑设器件时势必会导致巨额打点器开销,不然就....

  正在遥测、遥控规模中,通常操纵工业PC机与单片机构成的众机体例已毕测控工作。PC机因其丰盛的软硬件资源....

  听说步进电机不行拆,不过为了知足好奇心,该入手时就入手。 将要拆开的28BYJ-48,这是学单片机控....

  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景搬动行使顺序的平板电脑和智在行机

  准则的参数探索 易于拜候密钥产物参数 部件号探索用于直接拜候特定的产物 数据外的下载离线商讨 来采样和进货 最锺爱的个人数字统制 产物功效分享通过电子邮件或社交媒体 合用于Android™或iOS™操作体例 正在Wandoujia行使顺序商铺,为中邦用户供给 正在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS摆设上操纵的手机行使顺序供给通过正在线产物组合中的一个用户友爱的替换探索,驱动用户操纵以及便携式摆设亨通和纯洁的导航体验。参数探索引擎首肯用户疾速识别出最适合其行使相宜的产物。此行使顺序可正在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产物查找顺序

  ,零件编号和产物 技巧数据外下载和离线商讨一系列的探索功效 拜候首要产物规格(首要电气参数,产物普通解释,首要特征和市集位置) 对产物和数据外保藏栏目 可能通过社交媒体或通过电子邮件共享技巧文档 可正在安卓™和iOS™行使商铺 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的行使顺序,它可能让你寻找操纵便携式摆设的ST二极管的产物组合。您可能轻松地界说摆设最适合操纵参数或一系列的探索引擎行使顺序。您还可能找到你的产物因为采用了高效的零件号的探索引擎。...

  ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产物的取景器为Android和iOS

  开导探索 个人号码探索才智 首要产物功效发觉 数据外下载和离线商讨 产物功效分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产物的 主屏幕上的发言采用 ST-EEPROM-FINDER是寻找意法半导体串行EEPROM组合最疾和最明智的格式操纵智能电话或平板。

  ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景搬动行使顺序的平板电脑和智在行机

  或产物号的产物探索才智 技巧数据外下载和离线商讨 拜候首要产物规格(首要电气参数,产物普通解释,首要特征和市集位置) 对产物和数据外 可能通过社交媒体或通过电子邮件共享技巧文档 合用于Android保藏节™和iOS™行使商铺 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的行使顺序,它可能让你寻找的ST功率MOSFET产物组合操纵便携摆设。您可能轻松地界说摆设最适合操纵参数探索引擎行使顺序。您还可能找到你的产物因为采用了高效的零件号的探索引擎。...

  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产物查找用于搬动摆设

  于Android和iOS电话搬动行使 友爱的用户界面 的直观的产物的采用: MEMS和传感器 评估用具 行使 参数探索操纵众个过滤器 部件号探索 拜候技巧文档 从ST经销商正在线订购 通过电子邮件或社交媒体最锺爱的个人数字统制体验分享 赞成的发言:英语(中邦,日本和韩邦即将推出) 正在ST-SENSOR-FINDER供给搬动行使顺序的Android和iOS,供给用户友爱的替换通过MEMS和传感器汇集产物组合探索,驱动用户沿途亨通和纯洁的导航体验。...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源办理计划同步降压负责器,2A LDO,缓冲参考

  消息刻画 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  消息上风和特征 单通道、1024位差别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(相易或双极性事业形式) I2C兼容型接口 逛标树立和存储器回读 上电时从存储器改良 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻职能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可能采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可能采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的逛标树立可通过I²C兼容型数字接口负责。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可举办无尽次调解。AD5175不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次长远编程的机遇。正在50-TP激活时间,一个长远熔断熔丝指令会将电阻职位固定(肖似于将环氧树脂涂正在板滞式调解器上)。AD5175供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保障事业温度边界为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  消息上风和特征 单通道、1024位差别率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(相易或双极性事业形式) SPI兼容型接口 逛标树立和存储器回读 上电时从存储器改良 电阻容差存储正在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产物详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻职能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可能采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可能采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并供给50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的逛标树立可通过SPI数字接口负责。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可举办无尽次调解。AD5174不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给50次长远编程的机遇。正在50-TP激活时间,一个长远熔断熔丝指令会将电阻职位固定(肖似于将环氧树脂涂正在板滞式调解器上)。AD5174供给3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保障事业温度边界为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息上风和特征 单通道、256/1024位差别率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差差错(电阻职能形式):±1%(最大值) 20次可编程逛标存储器 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲理解更众特点,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度边界:−55°C至+125°C 受控筑设基线 独一封装/测试厂 独一筑设厂 加强型产物改观知照 认证数据可应恳求供给 V62/12616 DSCC图纸号产物详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻职能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件可能正在宽电压边界内事业,赞成±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差差错小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保障低电阻容差差错特点可能简化开环行使,以及精细校准与容差立室行使。AD5291和AD5292的逛标树立可通过SPI数字接口负责。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可举办无尽次调解。这些器件不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次长远编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  消息上风和特征 单通道、256/1024位差别率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻职能形式) 20次可编程 温度系数(变阻器形式):35 ppm/°C 温度系数(分压器形式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲理解更众特点,请参考数据手册 产物详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,不同是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻职能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的事业电压边界很宽,既可能采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可能采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差差错小于1%,并供给20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保障低电阻容差差错特点可能简化开环行使,以及精细校准与容差立室行使。AD5291/AD5292的逛标树立可通过SPI数字接口负责。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可举办无尽次调解。这些器件不需求任何外部电压源来助助熔断熔丝,并供给20次长远编程的机遇。正在20-TP激活时间,一个长远熔断熔丝指令会将逛标职位固定(肖似于将环氧树脂涂正在板滞式调解器上)。AD5291/AD52...

  消息上风和特征 四通道、64位差别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储逛标树立,并具有写守卫功效 上电收复至EEMEM树立,改良年华模范值为300 µs EEMEM重写年华:540 µs(模范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个特地字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减夂箢 预订义±6 dB阶跃转变夂箢 欲理解更众消息,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254不同是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字负责电位计,可竣工与板滞电位计、调解器和可变电阻不异的电子调解功效。AD5253/AD5254具有众功效编程才智,可能供给众种事业形式,蕴涵读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转变、逛标树立回读,并特地供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体例识别消息等。主控I2C负责器可能将任何64/256步逛标树立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储树立之后,体例上电时这些树立将自愿收复至RDAC寄存器;也可能动态收复这些树立。正在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  消息上风和特征 四通道、256位差别率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储逛标树立,并具有写守卫功效 上电收复为EEMEM树立,改良年华模范值为300 µs EEMEM重写年华:540 µs(模范值) 电阻容差存储正在非易失性存储器中 EEMEM供给12个特地字节,可存储用户自界说消息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预订义线性递增/递减夂箢 预订义±6 dB阶跃转变夂箢 欲理解更众特点,请参考数据手册产物详情AD5253/AD5254不同是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字负责电位计,可竣工与板滞电位计、调解器和可变电阻不异的电子调解功效。AD5253/AD5254具有众功效编程才智,可能供给众种事业形式,蕴涵读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例转变、逛标树立回读,并特地供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体例识别消息等。主控I2C负责器可能将任何64/256步逛标树立写入RDAC寄存器,并将其存储正在EEMEM中。存储树立之后,体例上电时这些树立将自愿收复至RDAC寄存器;也可能动态收复这些树立。正在同步或异步通...

  消息上风和特征 非易失性存储器可保留逛标树立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标树立回读功效 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM树立,改良年华小于1 ms 非易失性存储器写守卫 数据保存限期:100年(模范值, TA = 55°C )产物详情AD5252是一款双通道、数字负责可变电阻(VR),具有256位差别率。它可竣工与电位计或可变电阻不异的电子调解功效。该器件通过微负责器竣工众功效编程,可能供给众种事业与调解形式。正在直接编程形式下,可能从微负责器直接加载RDAC寄存器的预树立。正在另一种首要事业形式下,可能用以前存储正在EEMEM寄存器中的树立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,可能通过履行EEMEM保留操作,将该树立值保留正在EEMEM中。一朝将树立保留正在EEMEM寄存器之后,这些值就可能自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体例上电时树立逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可能从外部拜候预设值。根本调解形式便是正在逛标位树立(RDAC)寄...

  消息上风和特征 非易失性存储器保留逛标树立 电阻容差存储正在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 逛标树立回读功效 线性递增/递减预订义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预订义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM树立,改良年华小于1 ms 非易失性存储器写守卫 数据连结才智:100年(模范值,TA = 55°C )产物详情AD5251是一款双通道、数字负责可变电阻(VR),具有64位差别率。它可竣工与电位计或可变电阻不异的电子调解功效。该器件通过微负责器竣工众功效编程,可能供给众种事业与调解形式。正在直接编程形式下,可能从微负责器直接加载RDAC寄存器的预树立。正在另一种首要事业形式下,可能用以前存储正在EEMEM寄存器中的树立更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的逛标位时,可能通过履行EEMEM保留操作,将该树立值保留正在EEMEM中。一朝将树立保留正在EEMEM寄存器之后,这些值就可能自愿传输至RDAC寄存器,以便正在体例上电时树立逛标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可能从外部拜候预设值。根本调解形式便是正在逛标位树立(RDAC)寄存器...

  消息上风和特征 双通道、1024位差别率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差差错:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储逛标树立 加电改良EEMEM树立 长远性存储器写守卫 电阻容差积蓄于EEMEM中 26字节特地非易失性存储器,用于存储用户界说消息 1M编程周期 模范数据保存期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度边界:-40℃至+125°C 受控筑设基线 一个安装/测试厂 一个筑设厂 加强型产物改观知照 认证数据可应恳求供给 V62/11605 DSCC图纸号产物详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,具有1024阶跃差别率,保障最大低电阻容差差错为±8%。该器件可竣工与板滞电位计不异的电子调解功效,况且具有加强的差别率、固态牢靠性和密切的低温度系数职能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵巧的编程才智,赞成众达16种事业形式和调整形式,此中蕴涵暂存编程、存储器存储和收复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调解和逛标树立回读,同时供给特地的EEMEM1 ,用于存储用户界说消息,如其他元件的存储器数据、查找外、体例标识消息等。...

  消息上风和特征 1024位差别率 非易失性存储器保留逛标树立 上电时行使EEMEM树立改良 EEMEM收复年华:140 µs(模范值) 所有缺乏性事业 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 长远存储器写守卫 逛标树立回读功效 预订义线性递增/递减指令 预订义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产物详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字负责电位计**,供给1024阶差别率。它可竣工与板滞电位计不异的电子调解功效,况且具有加强的差别率、固态牢靠性和遥控才智。该器件功效丰盛,可通过一个准则三线式串行接口举办编程,具有16种事业与调解形式,蕴涵便笺式编程、存储器存储与收复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调解、逛标树立回读,并特地供给EEMEM用于存储用户自界说消息,如其它器件的存储器数据、查找外或体例识别消息等。正在便笺式编程形式下,可能将特定树立直接写入RDAC寄存器,以树立端子W–A与端子W–B之间的电阻。此树立可能存储正在EEMEM中,并正在体例上电时自愿传输至RDAC寄存器。EEMEM实质可能动态收复,或者通过外部PR选通脉冲予以收复;WP功效则可守卫EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部结构为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并赞成串行外设接口(SPI)制定。通过片选( CS )输入使能器件。其余,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128摆设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写守卫功效,蕴涵个人和全体阵列守卫。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性行使。 合用于新产物(Rev. E)。 特点 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件守卫 低功耗CMOS技巧 SPI形式(0,0& 1,1) 工业温度边界 自准时写周期 64字节页面写缓冲区 块写守卫 - 守卫1 / 4,1 / 2或全数EEPROM阵列 1,000,000安排/期间se周期 100年数据保存 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此摆设无铅,无卤素/ BFR,相符RoHS准则 其他识别具有长远写守卫的页面 行使 汽车体例 通信体例 策动机体例 消费者体例 工业体例 电途图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部结构为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并赞成串行外设接口(SPI)制定。通过片选( CS )输入使能器件。其余,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256摆设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写守卫功效,蕴涵个人和全体阵列守卫。 片上ECC(纠错码)使该器件合用于高牢靠性行使。 合用于新产物(Rev. E)。 特点 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有长远写守卫的附加标识页(新产物) 自准时写周期 硬件和软件守卫 100年数据保存期 1,000,000个顺序/擦除周期 低功耗CMOS技巧 块写守卫 - 守卫1 / 4,1 / 2或全数EEPROM阵列 工业温度边界 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及相符RoHS准则 行使 汽车体例 Communica tions Systems 策动机体例 消费者体例 工业体例 ...

  消息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部结构为512x8位。安森美半导体前辈的CMOS技巧大大低浸了器件的功耗恳求。它具有16字节页写缓冲区,并赞成串行外设接口(SPI)制定。该器件通过片选()启用。其余,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040摆设的任何串行通讯。该器件具有软件和硬件写守卫功效,蕴涵个人和全体阵列守卫。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自准时写入周期 硬件和软件守卫 块写守卫 - 守卫1 / 4,1 / 2或全数EEPROM阵列 低功耗CMOS技巧 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保存 工业和扩展温度边界 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,相符RoHS准则...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部结构为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并赞成串行外设接口(SPI)制定。通过片选( CS )输入使能器件。其余,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160摆设的任何串行通讯。这些器件具有软件和硬件写守卫功效,蕴涵个人和全体阵列守卫。 特点 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压边界 SPI形式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自准时写周期 硬件和软件守卫 块写守卫 - 守卫1 / 4,1 / 2或全体EEPROM阵列 低功耗CMOS技巧 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保存 工业温度边界 相符RoHS准则的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 行使 汽车体例 通信体例 策动机体例 消费者体例 工业体例 电途图、引脚图和封装图...

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